取代传统底片的数位感光元件 CCD
〈图：NikonD100CCD特写〉CCD英文全名ChargeCoupledDevice，感光耦合元件
CCD（ChargeCoupledDevice，感光耦合元件〉为数位相机中可记录光线变化的半导体，通常以百万像素〈megapixel〉为单位。数位相机规格中的多少百万像素，指的就是CCD的解析度，也代表着这台数位相机的CCD上有多少感光元件。CCD主要材质为硅晶半导体，基本原理类似CASIO计算机上的太阳能电池，透过光电效应，由感光元件表面感应来源光线，从而转换成储存电荷的能力。简单的说，当CCD表面接受到快门开启，镜头进来的光线照射时，即会将光线的能量转换成电荷，光线越强、电荷也就越多，这些电荷就成为判断光线强弱大小的依据。CCD元件上安排有通道线路，将这些电荷传输至放大解码原件，就能还原所有CCD上感光元件产生的讯号，并构成了一幅完整的画面。此一特性，使得CCD通用在数位相机〈DigitalCamera〉与扫瞄器〈Scanner〉上，作为目前最大宗之感光元件来源。
ＣＭＯＳ英文全名ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，互补性氧化金属半导体
CMOS和CCD一样同为在数位相机中可记录光线变化的半导体，外观上几乎无分轩轾。但，CMOS的制造技术和CCD不同，反而比较接近一般电脑晶片。CMOS的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带━电）和P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理晶片纪录和解读成影像。然而，CMOS因为在画素的旁边就放置了讯号放大器，导致其缺点容易出现杂点，特别是处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象，更使得杂讯难以抑制。
CMOS对抗CCD的优势在于成本低，耗电需求少,便于制造,可以与影像处理电路同处于一个晶片上。但由于上述的缺点，CMOS只能在经济型的数位相机市场中生存。不过，新一代『FillFactorCMOS』成为解决这个难题的救星，FillfactorCMOS属于此型感测器中最先进的制程技术。最大的差别在于提高FillFactor（单一画素中可吸收光的面积对整个画素的比例），有效做到提升敏感度、放大CMOS面积（全片幅）和降低杂讯的影响。再将FillFactorCMOS与CCD感光器比较发现，CCD受限于良率和结构制程，面积越小，画素越高，相对成本也就越低；FillFactorCMOS刚好相反，由于感光开口加大，FFCMOS可以挑战更高画素，更大面积（全片幅），甚至就产出比例来说，FFCMOS单一晶圆的附加价值更大。
由于FillFactorCMOS技术的特殊性，自身拥有晶圆生产设备的日本Canon可以说是最早体悟到FillFactorCMOS的市场潜力。CanonEOSD30是该公司最早选择以FFCMOS当感光元件数位DSLR产品，低廉的价格颇受消费者支持。虽然，EOSD30的画质表现普通，不过，后续的研究整合了完整的图像处理引擎等，更高速且尖端的影像技术，今日，采用大画素、全片幅之FillFactorCMOS已经成为主流，高阶旗舰级全片幅数位机身包括：Canon1DsMarkII、KodakDCSPro/c也全面采用FillfactorCMOS。
