方法一
半导体稳压二极管亦纳二极管（Zener Diode）或电压调整二极，简称稳压管。稳压管和半导体二极管都具有单向导电性质，仅仅靠观察外形，有时很难加以区别。例如，2CW7的外形很象小功率二极管，而2DW7的外形又与晶体管相似。
但是稳压管和二极管也有重要区别。第一，二极管一般在正向电压下人作，稳压管则在反向击穿状态下工作，二者用法不同；第二，普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将突然增大，而器件两端的电压基本保持恒定。对应的反向伏安特性曲线非常陡，动态电阻很小。稳压管可用作稳压器、电压基准、过压保护、电平转换器等。本书用Dz符号表示稳压管。
稳压管分低压、高压两种。低压稳压管的Vz值一般在40V以下，高压稳压管最高可达200V。过去国产稳压管均采用金属壳封装，不仅体积大，而且价格高。近年来来全系列玻封存稳压管大量问世，其优点是规格齐全（Vz=2.4～200V）、稳压特性好、体积小巧（采用DO-35封装，管径φ2.0mm，长4mm）、价格低廉。国产稳压二极管产品的分类见表1。
根据二者反向击穿电压在数值上的差异及稳定性，可以区分标记不清楚的稳压管和普通二极管，电路见图1。利用兆欧表提供合适的反向击穿电压，将被测管反向击穿。选择万用表的10VDC档或50VDV档测出反向击穿电压值，数值在40V以上的是二极管，低于40V的稳压管。
注意，这也有例外情况。例如2AP21的反向击穿电压低于15V，2AP8的反向击穿电压最小值为20V。此外，2DW130～2DW143型稳压管的Vz值为50～200V，2CW362～2CW378的Vz值是43～200V（以上均为标称值）。遇到这类情况也不难区分。同样都按额定转速摇兆欧表，由于二极管反向击穿区域的动态电阻较大，曲线不陡，因此电压表指针的摆动幅度就比较大。而稳压管的Rz很小，曲线很小，曲线很陡，表针摆动很小。
实例：测量一只型2AP5锗二极管，按额定转速摇兆欧表时，反向击穿电压在110～130V之间变化，表针摇摆不稳（手册中规定反向击穿电压V(BR)≥110V）。另测一只2CW136型稳压管时表针基本稳定，指在115V位置（手册中仅给出2DW136的工作电压范围是100～120V，但蛤体到某只稳压管，其工作电压基本为一确定值）。
方法二
利用万用表的电阻档也可以区分稳压管与半导体二极管。具体方法是，首先用R×1k档测量正、反向电阻，确定被测管的正、负极。然后将万用表拨于R×10k档，如图所示，黑表笔接负极，红表笔接正极，由表内9～15V叠层电池提供反向电压。其中，电阻读数较小的是稳压管，电阻为无穷大的二极管。
注意事项： (1)此方法只能测量反向击电压比R×10k档电池电压低的稳压管。
